1. 參與新型存儲架構(gòu)的開發(fā)，聚焦晶體管/電容材料研究，開展新型器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及性能提升工作；
2. 開展關(guān)鍵工藝技術(shù)與集成方案研發(fā)，制定器件結(jié)構(gòu)與電學(xué)特性測試策略，推進(jìn)材料、工藝及器件層級的仿真分析；
3. 借助自動化測試程序，承擔(dān)先進(jìn)存儲器件與芯片的測試與研發(fā)任務(wù)；
4. 與測試團(tuán)隊(duì)協(xié)同合作，研發(fā)并優(yōu)化新型存儲器測試算法，提升器件性能指標(biāo)與良率，同時提高測試流程效率；
5. 匯總并解析新型存儲器件的測試數(shù)據(jù)，構(gòu)建電學(xué)行為與物理機(jī)制之間的關(guān)聯(lián)模型，撰寫測試報告，并提出改進(jìn)措施，聯(lián)合工藝團(tuán)隊(duì)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)與制程工藝。

任職要求：
1. 電子工程、微電子或物理等相關(guān)專業(yè)背景，具備半導(dǎo)體器件測試實(shí)際經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
2. 熟練掌握C/C++或Python編程，理解半導(dǎo)體存儲器基本原理、測試流程及相關(guān)方法；有半導(dǎo)體測試設(shè)備（如半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、示波器等）操作與開發(fā)經(jīng)驗(yàn)者更佳；
3. 具備良好的溝通能力與團(tuán)隊(duì)協(xié)作意識，工作嚴(yán)謹(jǐn)細(xì)致，責(zé)任心強(qiáng)；
4. 具備優(yōu)秀的中英文語言表達(dá)與交流能力。